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光耦EL817光耦有晶體管、達林頓、可控硅、磁效應管等多種輸出形式。光耦EL817光電耦合器在傳輸信號的原理上與隔離變壓器相同，但光耦EL817隔離變壓器是依靠磁場的變化將信號或能量傳遞到副邊，通常只能傳遞一定頻率的交變信號

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應用中，當輸出電流從幾A到幾十A時，上述小功率器件往往無法滿足需求。因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應管等電源。

光耦EL817

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過過零或移相觸發。固態繼電器也是如此。因此，它們的用途和形式具有相同類型的產品。從這個角度（使用形式和性質）來看，沒有什么區別，因為固態繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態繼電器除外）。

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅動光電耦合器左側的LED發光，并全部被右側光敏管吸收，轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經過電容C3后，發射極輸出一個未失真的放大信號V0

由于信號是單向傳輸，輸入端和輸出端完全電氣隔離，輸出信號對輸入端沒有影響。因此，光耦抗干擾能力強，工作穩定、非接觸、使用壽命長、傳輸效率高，廣泛應用于電絕緣、電平轉換、信號傳輸等場合。

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動，甚至會增加電路功耗，再者單片機I/O口也不能提供過大電流，若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發生突變時,有可能系統不穩定,影響正常輸出

電子間的關聯通常微弱到難以觀測，但某些情況會導致電子出現明顯的異常行為，如超導現象，光耦EL817這是高容量計算機存儲器的基礎。科研人員此次通過高靈敏度的實驗技術，清晰觀測到了電子間不尋常的運動，這對于研究基于超導體等材料的下一代電子器件是重大突破。