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近年來，隨著有機材料的發展，有機光電器件因其成本低、工藝溫度低、易于大面積制造和柔性化等優點而得到迅速發展。然而，可控硅光耦這些器件具有諸如相對較低的載流子遷移率和效率的缺點。

一般的，光耦的電流傳輸比CTR的允許范圍是50%一200%。若CTR<50%,那么光藕中的LED就需要較大的工作電流來驅動，甚至會增加電路功耗，再者單片機I/O口也不能提供過大電流，若CTR值過大,在啟動電路或者當負載發生突變時,有可能系統不穩定,影響正常輸出

可控硅光耦

那么它們之間的區別在哪里呢？永遠不會有一個東西，兩個名字，對吧？它們的區別在于晶閘管是晶閘管，固態繼電器是晶閘管+同步觸發驅動。這就是區別。

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅動光電耦合器左側的LED發光，并全部被右側光敏管吸收，轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經過電容C3后，發射極輸出一個未失真的放大信號V0

IF不同不同對應的CTR也不同，并且數據差異還很大，一般情況下在IF=5ma時，CTR值都應該與原有光耦所用區域CTR值的大體一致，要不然產品動態性很差，替代時需要注意選取合適的IF電流，使輸入控制電流的變動都能及時反饋到輸出端，保證產品反饋環的穩定。

光耦根據封裝來分類有同軸型，雙列直插型，TO封裝型，扁平封裝型，貼片封裝型，以及光纖傳輸型等，根據實際電路看是哪一種封裝，這直接決定著是否可用此光耦；

電子間的關聯通常微弱到難以觀測，但某些情況會導致電子出現明顯的異常行為，如超導現象，可控硅光耦這是高容量計算機存儲器的基礎。科研人員此次通過高靈敏度的實驗技術，清晰觀測到了電子間不尋常的運動，這對于研究基于超導體等材料的下一代電子器件是重大突破。