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交流感應電機在此應用中很常見，可控硅光耦并且始終由功率級中使用的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 驅動。典型的總線電壓為 200 VDC 至 1,000 VDC。 IGBT 使用電子換向來實現交流感應電機所需的正弦電流。

晶閘管可以是單向或雙向的，可以通過過零或移相觸發。固態繼電器也是如此。因此，它們的用途和形式具有相同類型的產品。從這個角度（使用形式和性質）來看，沒有什么區別，因為固態繼電器也是用晶閘管制成的（帶三極管的固態繼電器除外）。

可控硅光耦

該設備充當開關元件。同時，由于上述光耦優異的隔離性能和輸出功能，被廣泛應用于大功率固態繼電器中作為隔離驅動器件。可采用普通晶體管輸出光耦和交流輸入光耦來滿足固態繼電器對直流和交流輸入控制的需要。

當輸入信號Vi經晶體管BG1和BG2的前級放大后，驅動光電耦合器左側的LED發光，并全部被右側光敏管吸收，轉換為電信號。該信號由后級電路BG3放大，管子經過電容C3后，發射極輸出一個未失真的放大信號V0

這些光耦提供的輸出電流范圍從幾十mA 但是，在一些大功率應用中，當輸出電流從幾A到幾十A時，上述小功率器件往往無法滿足需求。因此需要大功率晶閘管、雙向可控硅、MOS場效應管等電源。

光電耦合器以光為媒介傳輸電信號。它對輸入、輸出電信號有良好的隔離作用，所以，它在各種電路中得到廣泛的應用。目前它已成為種類最多、用途最廣的光電器件之一。

電子間的關聯通常微弱到難以觀測，但某些情況會導致電子出現明顯的異常行為，如超導現象，可控硅光耦這是高容量計算機存儲器的基礎。科研人員此次通過高靈敏度的實驗技術，清晰觀測到了電子間不尋常的運動，這對于研究基于超導體等材料的下一代電子器件是重大突破。